2022-03-10 0
单次切割，即一次完全切割硅片，切割深度到UV膜厚度1／2的位置，如下图所示。该方法工艺过程简单，适合超薄材料切割，但切割过程刀具磨损严重，切割道边缘易产生崩边和毛刺，工件因受磨削力的影响，材料表面及亚表面易产生裂纹等缺陷。
针对硬脆材料划切工艺缺陷，本文提出一种分层划切工艺方法，如下图所示。根据切割材料的厚度，在划切深度方向采用分层（阶梯式）进给的方式进行划切，首先进行开槽划切，采用比较小的进给深度，以保证刀具受力小，降低刀具磨损，减小切割道正面崩边，然后再沿着第一刀划切道继续进行划切。
两种切割方式切割过程中切割膜的厚度需要保证，当切割膜过深，将切透膜，导致工件盘失去真空能力而无法固定硅片；当切割膜过浅，将导致硅片背面崩边严重，因此，切割过程对最后一次切割的深度必须保证。
138-2371-2890
